GB/T 14145-1993 硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法
作者:标准资料网 时间:2024-05-18 17:45:25 浏览:9599
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基本信息
| 标准名称： | 硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法 |
| 英文名称： | Test method for stacking fault density of epitaxial layers of silicon by interference contrast microscopy |
| 中标分类： | 冶金 >> 金属理化性能试验方法 >> 金相检验方法 |
| ICS分类： | |
| 发布部门： | 国家技术监督局 |
| 发布日期： | 1993-02-06 |
| 实施日期： | 1993-10-01 |
| 首发日期： | 1993-02-06 |
| 作废日期： | 2005-10-14 |
| 主管部门： | 国家标准化管理委员会 |
| 归口单位： | 全国半导体材料和设备标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 上海有色金属研究所 |
| 出版日期： | 1900-01-01 |
| 页数： | 平装16开， 页数：5， 字数：6千字 |
适用范围
本标准规定了使用干涉相衬显微镜非破坏性测量硅外延层堆垛层错密度的方法。本标准适用于硅外延层厚度不小于3μm、外延层晶向偏离｛111｝晶面或｛100｝晶面角度较小的试样的堆垛层错密度测量。当堆垛层错密度超过15000cm-2或当外延层晶向与｛111｝晶面或｛100｝晶面偏离角度较大时，测量精度将有所降低。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 冶金 金属理化性能试验方法 金相检验方法
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